Kategori pwodwi

Imaj Nimewo pwodwi Enkapsulasyon Anbalaj Deskripsyon Fèy Done
UMW MB10M(0.8A) DIP Tib Anvan gout vòltaj (Vf):1.1V @ 500mA;DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):1kV;Forward vag aktyèl (Ifsm):30A;Ranvèse aktyèl (Ir):0.00001A @ 1kV;Travay tanperati junction (Tj):-55℃~150℃;Mwayèn korije kouran (Io):800mA
UMW MB6M(0.8A) DIP Woule Anvan gout vòltaj (Vf):1.1V @ 500mA;Forward vag aktyèl (Ifsm):30A;Travay tanperati junction (Tj):-55℃~150℃;DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):600V;Mwayèn korije kouran (Io):800mA;Ranvèse aktyèl (Ir):0.00001A @ 600V
UMW MB10F(0.8A) SOP Woule Anvan gout vòltaj (Vf):1.1V @ 800mA;DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):1kV;Forward vag aktyèl (Ifsm):30A;Ranvèse aktyèl (Ir):0.000005A @ 1kV;Travay tanperati junction (Tj):-55℃~150℃;Mwayèn korije kouran (Io):800mA
UMW MB6F(0.8A) SOP Woule Ranvèse aktyèl (Ir):0.000005A @ 600V;Anvan gout vòltaj (Vf):1.1V @ 800mA;Forward vag aktyèl (Ifsm):30A;Travay tanperati junction (Tj):-55℃~150℃;DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):600V;Mwayèn korije kouran (Io):800mA
UMW MB10S(0.8A) SOP Woule DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):1kV;Anvan gout vòltaj (Vf):1V @ 500mA;Mwayèn korije kouran (Io):800mA
UMW MB6S(0.8A) SOP Woule Anvan gout vòltaj (Vf):1V @ 500mA;DC ranvèse kenbe tèt ak vòltaj (Vr):600V;Mwayèn korije kouran (Io):800mA