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UMW IRFR1018ETR |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):47A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:8.4mΩ@47A,10V |
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UMW NTD4805NT4G |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):88A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5mΩ@30A,10V;Résistance au drain-source:7.4mΩ@30A,4.5V |
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UMW FDD6676AS |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):90A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5.7mΩ@16A,10V;Résistance au drain-source:7.1mΩ@15A,4.5V |
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UMW FDD068AN03L |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):35A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5.7mΩ@35A,10V;Résistance au drain-source:6.8mΩ@35A,4.5V |
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UMW FDD044AN03L |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):35A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:3.9mΩ@35A,10V;Résistance au drain-source:4.4mΩ@35A,4.5V |
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UMW FDD6796A |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):25V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):20A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5.7mΩ@20A,10V;Résistance au drain-source:15mΩ@15.2A,4.5V |
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UMW FDD7030BL |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):56A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:9.5mΩ@14A,10V;Résistance au drain-source:13mΩ@12A,4.5V |
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UMW ISL9N306AD3ST |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:6mΩ@50A,10V;Résistance au drain-source:9.5mΩ@50A,4.5V |
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UMW FDD6776A |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):17.7A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:7.5mΩ@17.7A,10V;Résistance au drain-source:17mΩ@13.2A,4.5V |
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UMW FDD8586 |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):25V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):35A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5.5mΩ@35A,10V;Résistance au drain-source:8.5mΩ@33A,4.5V |
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UMW IPD050N03LGATMA1 |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5mΩ@30A,10V;Résistance au drain-source:7.3mΩ@30A,4.5V |
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UMW AO4435A |
SOP-8 |
卷装 |
Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-12A;Vgs(th)(V):±12;Résistance au drain-source:20mΩ@-7A,-10V;Résistance au drain-source:32mΩ@-5A,-4.5V |
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UMW AON6240 |
PDFN-8(5.8x4.9) |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):40V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):85A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:1.6mΩ@20A,10V;Résistance au drain-source:2.4mΩ@20A,4.5V |
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UMW IPB027N10N3 G |
TO-263 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):100V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):120A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:2.7mΩ@100A,10V;Résistance au drain-source:4.5mΩ@50A,6V |
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UMW IPB015N04NG |
TO-263 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):40V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):120A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:1.5mΩ@100A,10V |
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UMW FDB8832 |
TO-263 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):80A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:1.9mΩ@80A,10V;Résistance au drain-source:2.1mΩ@80A,5V;Résistance au drain-source:2.2mΩ@80A,4.5V |
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UMW 4N65L |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):650V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):4A;Vgs(th)(V):±30;Résistance au drain-source:2.7mΩ@2A,10V |
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UMW 4N60L |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):650V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):4A;Vgs(th)(V):±30;Résistance au drain-source:4mΩ@2A,10V |
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UMW 7N65L |
TO-252 |
卷装 |
Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):650V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):7A;Vgs(th)(V):±30;Résistance au drain-source:1.4mΩ@3.5A,10V |
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UMW NTR4171PT1G |
SOT-23 |
卷装 |
Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-2.2 A;Vgs(th)(V):±12;Résistance au drain-source:75mΩ@-2.2A,-10V;Résistance au drain-source:110mΩ@-1.8A,-4.5V |
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