Прадукт - UMW Youtai Semiconductor - вядомы брэнд айчынных ІС кіравання, оптапара, LDO, сярэдняга і высокага напружання MOS.

Нумар прадукту	Інкапсуляцыя	Упакоўка	Апісанне
UMW AO4606	SOP-8	卷装	Віды:N+P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):N：30V P：-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):N:6A;P: -7.6A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:N:8mΩ; P:32mΩ@10V
UMW AO4435	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-12A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:20mΩ@-10V
UMW AO4406A	SOP-8	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):18A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:13mΩ@10V;Сцёк крыніцы на супраціў:16mΩ@4.5V
UMW AO3423A	SOT-23	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-20V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-2A;Vgs(th)(V):±12;Сцёк крыніцы на супраціў:120mΩ@-4.5V
UMW AO3422A	SOT-23	卷盘	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):2.1A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:105mΩ@10V
UMW AO4443	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-8A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:46mΩ@-10V
UMW AO4818	SOP-8	卷装	Віды:N+N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):9A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:13mΩ@10V
UMW FDD24AN06LA0	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):40A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:19mΩ@10V
UMW FDD5680	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):38A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):17A;Vgs(th)(V):±16;Сцёк крыніцы на супраціў:28mΩ@10V
UMW FDD5810	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):37A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:22mΩ@10V
UMW 30P03D	PDFN3*3	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-60A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:10.5mΩ@-10V
UMW NTR4171RT	SOT-23	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-2.2A;Vgs(th)(V):±12;Сцёк крыніцы на супраціў:75mΩ@-10V
UMW FDT3612	SOT-223	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):100V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):3.7A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:120mΩ@10V
UMW IRLL014NTR	SOT-223	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):55V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):2.0A;Vgs(th)(V):±16;Сцёк крыніцы на супраціў:140mΩ@10V
UMW MGSF1N03L	SOT-23	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):2.1A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:10mΩ@10V;Сцёк крыніцы на супраціў:14.5mΩ@4.5V
UMW IRF8788TR	SOP-8	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):24A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:2.8mΩ@10V;Сцёк крыніцы на супраціў:3.8mΩ@4.5V
UMW IRF8736TR	SOP-8	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):18A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:4.8mΩ@10V;Сцёк крыніцы на супраціў:6.8mΩ@4.5V
UMW IRF7241TR	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-6.2A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:41mΩ@-10V

< >

Катэгорыя прадукту