Прадукт - UMW Youtai Semiconductor - вядомы брэнд айчынных ІС кіравання, оптапара, LDO, сярэдняга і высокага напружання MOS.

Нумар прадукту	Інкапсуляцыя	Упакоўка	Апісанне
UMW FDP8860	TO-220	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):80A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:2.5mΩ@10V;Сцёк крыніцы на супраціў:2.9mΩ@4.5V
UMW AOD413A	TO-252	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-12A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:44mΩ@-10V
UMW NDT456P	SOT-223	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-7.5A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:30mΩ@-10V
UMW AOD417	TO-252	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-25A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:34mΩ@-10V
UMW IRF9321TR	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-15A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:7.2mΩ@-10V
UMW IPD50P03P4L-11	TO-252	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-50A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:10.5mΩ@-10V
UMW FDS7779Z	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-16A;Vgs(th)(V):±25;Сцёк крыніцы на супраціў:7.2mΩ@-10V
UMW AO4413	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-15A;Vgs(th)(V):±25;Сцёк крыніцы на супраціў:8.5mΩ@-10V
UMW NDT452AP	SOT-223	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-5A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:65mΩ@-10V
UMW NTMD3P03R2G	SOP-8	卷装	Віды:P+P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-3.05A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:85mΩ@-10V
UMW AO4803A	SOP-8	卷装	Віды:P+P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-5A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:46mΩ@-10V
UMW IRF7205TR	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-4.6A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:70mΩ@-10V
UMW IRF7104TR	SOP-8	卷装	Віды:P+P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-2.3A;Vgs(th)(V):±12;Сцёк крыніцы на супраціў:250mΩ@-10V
UMW FDS9435A	SOP-8	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-5.3A;Vgs(th)(V):±25;Сцёк крыніцы на супраціў:50mΩ@-10V
UMW AO3481	SOT-23	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-30V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-4A;Vgs(th)(V):±12;Сцёк крыніцы на супраціў:50mΩ@-10V
UMW FDS8949	SOP-8	卷装	Віды:N+N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):6A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:29mΩ@10V
UMW IPD50P04P4L11	TO-252	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-50A;Vgs(th)(V):±16;Сцёк крыніцы на супраціў:10.6mΩ@-10V
UMW FDD4685	TO-252	卷装	Віды:P-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):-40V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):-8.4A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:27mΩ@-10V
UMW IPD088N06N3 G	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:8.8mΩ@10V
UMW IRFR1018ETR	TO-252	卷装	Віды:N-Channel;Напружанне дрэнажнай крыніцы (Vdss):60V;Бесперапынны зліўны ток (Id) (пры 25 ° C):47A;Vgs(th)(V):±20;Сцёк крыніцы на супраціў:8.4mΩ@10V

< >

Катэгорыя прадукту