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UMW FDN338P |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-2.8A;Tensione di soglia gate-source:1.5V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:142mΩ@-2A,-2.5V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):500mW;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;Resistenza di drenu-surghjente:112mΩ@-2.8A,-4.5V |
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UMW IRLML2502TR |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):4.2A;Tensione di soglia gate-source:1.2V @ 50uA;Resistenza di drenu-surghjente:45mΩ@10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.25W;Tipi di:N-Channel;Resistenza di drenu-surghjente:80mΩ@3.6A,2.5V;Vgs(th)(V):±12;Resistenza di drenu-surghjente:45mΩ@4.2A,4.5V |
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UMW IRLML5203TR |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-3A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:85mΩ@-4.1A,-10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):300mW;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:145mΩ@-3A,-4.5V |
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UMW IRLML6401TR |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-12V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-4.3A;Tensione di soglia gate-source:950mV @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:125mΩ@-2A,-1.8V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.3W;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;Resistenza di drenu-surghjente:85mΩ@-2.5A,-2.5V;Resistenza di drenu-surghjente:50mΩ@-4.3A,-4.5V |
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UMW AO3416A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):6A;Tensione di soglia gate-source:1.1V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:mΩ@10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.4W;Tipi di:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;Resistenza di drenu-surghjente:51mΩ@5A,1.8V;Resistenza di drenu-surghjente:33mΩ@5.5A,2.5V;Resistenza di drenu-surghjente:25mΩ@6.5A,4.5V |
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UMW AO3414A |
SOT-23 |
卷装 |
Tensione di drenu (Vdss):20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):4.2A;Tensione di soglia gate-source:1.2V @ 50uA;Resistenza di drenu-surghjente:57mΩ@3.2A,1.8V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):400mW;Tipi di:N-Channel;Resistenza di drenu-surghjente:36mΩ@3.7A,2.5V;Vgs(th)(V):±8;Resistenza di drenu-surghjente:26mΩ@4.2A,4.5V |
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UMW AO3404A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):5A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:25mΩ@5.8A,10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.4W;Tipi di:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:36mΩ@5A,4.5V |
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UMW AO3409A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-2.6A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:130mΩ@-2.6A,-10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.4W;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:200mΩ@-2A,-4.5V |
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UMW SI2312A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):6A;Tensione di soglia gate-source:850mV @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:50mΩ@4A,1.8V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):750mW;Tipi di:N-Channel;Resistenza di drenu-surghjente:33mΩ@4.5A.2.5V;Resistenza di drenu-surghjente:26mΩ@5A,4.5V |
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UMW AO3442A |
SOT-23 |
Roll |
Tipi di:N-Channel;Tensione di drenu (Vdss):100V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):1A;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:630mΩ@1A,10V;Resistenza di drenu-surghjente:720mΩ@0.8A,4.5V |
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UMW AO3413A |
SOT-23 |
Roll |
Tipi di:P-Channel;Tensione di drenu (Vdss):-20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-3A;Vgs(th)(V):±8;Resistenza di drenu-surghjente:80mΩ@-2.6A,-2.5V;Resistenza di drenu-surghjente:66mΩ@-3A,-4.5V |
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UMW AO3403A |
SOT-23 |
Roll |
Tipi di:P-Channel;Tensione di drenu (Vdss):-30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-2.6A;Vgs(th)(V):±12;Resistenza di drenu-surghjente:75mΩ@-2.6A,-10V;Resistenza di drenu-surghjente:85mΩ@-2A,-4.5V |
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UMW SI2319A |
SOT-23 |
Roll |
Tipi di:P-Channel;Tensione di drenu (Vdss):-40V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-4.4A;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:70mΩ@-4.4A,-10V;Resistenza di drenu-surghjente:95mΩ@-3.5A,-4.5V |
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UMW SI2303A |
SOT-23 |
Roll |
Tipi di:P-Channel;Tensione di drenu (Vdss):-30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-1.7A;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:190mΩ@-1.7A,-10V;Resistenza di drenu-surghjente:330mΩ@-1.3A,-4.5V |
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UMW SI2308A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):60V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):3A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:80mΩ@3A,10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.25W;Tipi di:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:95mΩ@1.9A,4.5V |
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UMW SI2307A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-3A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:50mΩ@-3A,-10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.25W;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:70mΩ@-2.5A,-4.5V |
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UMW SI2306A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):30V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):4A;Tensione di soglia gate-source:3V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:35mΩ@4A,10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.25W;Tipi di:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;Resistenza di drenu-surghjente:50mΩ@3.5A,4.5V |
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UMW SI2305A |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-20V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-4A;Tensione di soglia gate-source:500mV @ 250uA(最小);Resistenza di drenu-surghjente:50mΩ@-3.4A,-2.5V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):1.38W;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;Resistenza di drenu-surghjente:40mΩ@-4.2A,-4.5V |
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UMW BSS84 |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):-50V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):-0.13A;Tensione di soglia gate-source:2V @ 1mA;Resistenza di drenu-surghjente:10Ω@-0.1A,-5V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):300mW;Tipi di:P-Channel;Vgs(th)(V):±20 |
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UMW BSS138 |
SOT-23 |
Roll |
Tensione di drenu (Vdss):50V;Corrente di scarico continuu (Id) (a 25 ° C):300mA;Tensione di soglia gate-source:1.5V @ 250uA;Resistenza di drenu-surghjente:2.5Ω @ 500mA,10V;Dissipazione massima di putenza (Ta = 25 ° C):300mW;Tipi di:N沟道 |
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