catégorie de produit

Image Numéro de produit Encapsulation Emballage La description Fiche technique
UMW LM2592HVS-12 TO-263 卷装
UMW LM2592HVS-5.0 TO-263 卷装
UMW LM2592HVS-ADJ TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-12 TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-ADJ TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-5.0 TO-263 卷装
UMW L7815CV TO-220 卷装
UMW PESD24VS1UB SOD-523 卷装
UMW LM2901DR SOP-14 卷装
UMW LM139DR SOP-14 卷装
UMW LM239DR SOP-14 卷装
UMW LM339DR SOP-14 卷装
UMW IRF7416TR SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-10A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:20mΩ@-5.6A,-10V;Résistance au drain-source:35mΩ@-2.8A,-4.5V
UMW IRF9310TR SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-20A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:4.6mΩ@-20A,-10V;Résistance au drain-source:6.8mΩ@-16A,-4.5V
UMW AO4423 SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-13.5A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:11mΩ@-10A,-10V;Résistance au drain-source:15mΩ@-8A,-4.5V
UMW FDS6681Z SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-18A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:5mΩ@-15A,-10V;Résistance au drain-source:8mΩ@-10A,-4.5V
UMW TPC8107 SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-13.5A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:11mΩ@-10A,-10V;Résistance au drain-source:15mΩ@-8A,-4.5V
UMW SI4425DY SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-8.7A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:12.5mΩ@-10A,-10V;Résistance au drain-source:18mΩ@-7A,-4.5V
UMW AOD484 TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:7mΩ@21.8A,10V;Résistance au drain-source:9mΩ@18A,4.5V
UMW FDN5630 SOT-23 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):4A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:85mΩ@1.9A,10V;Résistance au drain-source:96mΩ@1.7A,4.5V