उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW LM2592HVS-12 TO-263 卷装
UMW LM2592HVS-5.0 TO-263 卷装
UMW LM2592HVS-ADJ TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-12 TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-ADJ TO-263 卷装
UMW LM2591HVS-5.0 TO-263 卷装
UMW L7815CV TO-220 卷装
UMW PESD24VS1UB SOD-523 卷装
UMW LM2901DR SOP-14 卷装
UMW LM139DR SOP-14 卷装
UMW LM239DR SOP-14 卷装
UMW LM339DR SOP-14 卷装
UMW IRF7416TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-10A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:20mΩ@-5.6A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@-2.8A,-4.5V
UMW IRF9310TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-20A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.6mΩ@-20A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.8mΩ@-16A,-4.5V
UMW AO4423 SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-13.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11mΩ@-10A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:15mΩ@-8A,-4.5V
UMW FDS6681Z SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-18A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:5mΩ@-15A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8mΩ@-10A,-4.5V
UMW TPC8107 SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-13.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11mΩ@-10A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:15mΩ@-8A,-4.5V
UMW SI4425DY SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-8.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.5mΩ@-10A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:18mΩ@-7A,-4.5V
UMW AOD484 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7mΩ@21.8A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@18A,4.5V
UMW FDN5630 SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:85mΩ@1.9A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:96mΩ@1.7A,4.5V