उत्पादन - यूएमडब्ल्यू यूटई सेमीकंडक्टर - घरगुती उर्जा व्यवस्थापन आयसी, ऑप्टोकोपलर, एलडीओ, मध्यम आणि उच्च व्होल्टेज एमओएसचा एक सुप्रसिद्ध ब्रँड.

उत्पादन क्रमांक	एन्केप्सुलेशन	पॅकेजिंग	वर्णन
UMW IRF9Z24N	TO-220	卷装	चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-55V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-12A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:175mΩ@-10V
UMW IRF9Z34N	TO-220	卷装	चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-55V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-19A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@-10V
UMW IRF9956TR	SOP-8	卷装	चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):2.2A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@10V
UMW AOD478	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):11A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:140mΩ@10V
UMW FDD5353	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):10.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12mΩ@10V
UMW IRLR3915TR	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):30A;Vgs(th)(V):±16;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:14mΩ@10V
UMW RFD14N05LSM	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):14A;Vgs(th)(V):±10;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@10V
UMW FQD13N06LTM	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:115mΩ@10V
UMW RFD12N06RLESM9A	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):18A;Vgs(th)(V):±16;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:63mΩ@10V
UMW RFD16N05LSM9A	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):16A;Vgs(th)(V):±10
UMW IRLR7843TR	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):161A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:3.3mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4mΩ@4.5V
UMW AOD210	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):70A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:3mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:3.9mΩ@4.5V
UMW IPD135N03LG	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):30A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:13.5mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:20.5mΩ@4.5V
UMW FDD8870	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):160A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:3.9mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.4mΩ@4.5V
UMW NTD4858NT4G	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):73A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.2mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9.3mΩ@4.5V
UMW NTD20N03L27T4G	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):20A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:31mΩ@4.5V
UMW FDD6670A	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):66A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@4.5V
UMW IRFR3707ZTR	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):56A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9.5mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.5mΩ@4.5V
UMW FDD8880	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):58A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12mΩ@4.5V
UMW AOD516	TO-252	卷装	चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):46A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:5mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@4.5V

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