ထုတ်ကုန် - UMW Youtai Semiconductor - ပြည်တွင်းပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု IC, optocoupler, LDO, medium နှင့် high voltage MOS ၏ကျော်ကြားသောအမှတ်တံဆိပ်။

ထုတ်ကုန်နံပါတ်	Encapsulation	ထုပ်ပိုး	ဖော်ပြချက်
UMW NTD4805NT4G	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:88A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:7.4mΩ@4.5V
UMW FDD6676AS	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:90A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5.7mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:7.1mΩ@4.5V
UMW FDD068AN03L	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:35A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5.7mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:6.8mΩ@4.5V
UMW FDD044AN03L	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:35A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:3.9mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:4.4mΩ@4.5V
UMW FDD6796A	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):25V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:20A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5.7mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:15mΩ@4.5V
UMW FDD7030BL	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:56A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:9.5mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:13mΩ@4.5V
UMW ISL9N306AD3ST	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:50A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:6mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:9.5mΩ@4.5V
UMW FDD6776A	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:17.7A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:7.5mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:17mΩ@4.5V
UMW FDD8586	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):25V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:35A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5.5mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:8.5mΩ@4.5V
UMW IPD050N03LGATMA1	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:50A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:5mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:7.3mΩ@4.5V
UMW AO4435A	SOP-8	卷装	ပုံစံ:P-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):-30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:-12A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:20mΩ@-10V
UMW AON6240	PDFN-8(5.8x4.9)	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):40V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:85A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:1.6mΩ@10V
UMW IPB027N10N3 G	TO-263	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):100V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:120A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:2.7mΩ@10V
UMW IPB015N04NG	TO-263	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):40V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:120A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:1.5mΩ@10V
UMW FDB8832	TO-263	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:80A;Vgs(th)(V):±20;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:1.9mΩ@10V;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:2.2mΩ@4.5V
UMW 4N65L	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):650V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:4A;Vgs(th)(V):±30;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:2.7mΩ@10V
UMW 4N60L	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):650V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:4A;Vgs(th)(V):±30;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:4mΩ@10V
UMW 7N65L	TO-252	卷装	ပုံစံ:N-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):650V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:7A;Vgs(th)(V):±30;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:1.4mΩ@10V
UMW NTR4171PT1G	SOT-23	卷装	ပုံစံ:P-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):-30V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:-2.2 A;Vgs(th)(V):±12;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:75mΩ@-10V
UMW FDN304P	SOT-23	卷装	ပုံစံ:P-Channel;ရေနုတ်မြောင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အား (Vdss):-20V;စဉ်ဆက်မပြတ်စီးဆင်းသောလက်ရှိ (Id) (၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိ:-2.4A;Vgs(th)(V):±8;Drain-အရင်းအမြစ် On- ခုခံ:52mΩ@-4.5V

< >

ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား