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UMW FDD6680AS |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):50A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:10.5mΩ@12.5A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:13mΩ@10A,4.5V |
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UMW FDD8780 |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):25V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):35A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:8.5mΩ@35A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:12mΩ@35A,4.5V |
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UMW NTD4860NT4G |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):25V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):65A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:7.5mΩ@30A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:11.1mΩ@30A,4.5V |
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UMW AOD508 |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):70A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:3mΩ@20A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:4.5mΩ@20A,4.5V |
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UMW FDD8874 |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):35A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:5.1mΩ@35A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:6.4mΩ@35A,4.5V |
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UMW FDD8796 |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):25V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):35A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:5.7mΩ@35A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:8mΩ@35A,4.5V |
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UMW FDS8978 |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N+N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7.5A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:18mΩ@7.5A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:21mΩ@6.9A,4.5V |
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UMW FDS6690A |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):11A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:12.5mΩ@11A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:17mΩ@10A,4.5V |
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UMW NTMS4816NR2G |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):11A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:10mΩ@9A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:16mΩ@7.2A,4.5V |
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UMW IRF8707TR |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):11A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:11.9mΩ@11A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:17.5mΩ@8.8A,4.5V |
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UMW FDS6912A |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N+N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):6A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:28mΩ@6A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:35mΩ@5A,4.5V |
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UMW FDS8984 |
SOP-8 |
卷装 |
प्रकारहरु:N+N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:23mΩ@7A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:30mΩ@6A,4.5V |
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UMW IRFR2405TR |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):55V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):34A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:16mΩ@34A,10V |
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UMW NTD5865NLT4G |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):46A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:16mΩ@20A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:19mΩ@20A,4.5V |
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UMW NTD5867NLT4G |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):20A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:39mΩ@10A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@10A,4.5V |
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UMW NTD3055L104T4G |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):12A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:104mΩ@6A,5V |
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UMW IRFR4105TR |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):55V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):27A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:45mΩ@16A,10V |
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UMW FQD19N10LTM |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):15.6A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:100mΩ@7.8A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:100mΩ@7.8A,5V |
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UMW AOD2922 |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:140mΩ@5A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:176mΩ@3A,4.5V |
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UMW IRLR120NTR |
TO-252 |
卷装 |
प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):10A;Vgs(th)(V):±16;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:185mΩ@6A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:225mΩ@6A,5V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:265mΩ@5A,4V |
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