პროდუქტის კატეგორია

სურათი პროდუქტის ნომერი კაფსულაცია შეფუთვა აღწერა Მონაცემთა ფურცელი
UMW SN74AHCT1G86DCKR SC70-5 卷装 功能描述(Function Description):Single 2-Input Exclusive-OR Gate;电压(VIN(V)):4.5~5.5V;最大电流(IOLmax(mA)):8;输入类型(Input Type):Standard CMOS;输出类型(Output Type):Push-Pull
UMW SN74AHCT1G08DCKR SC70-5 卷装 功能描述(Function Description):Single 2-input AND Gate;电压(VIN(V)):4.5~5.5V;最大电流(IOLmax(mA)):8;输入类型(Input Type):Standard CMOS;输出类型(Output Type):Push-Pull
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):100V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:3.7A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:120mΩ@3.7A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):55V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:2.0A;Vgs(th)(V):±16;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:140mΩ@2A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:200mΩ@1.2A,5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:2.1A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:100mΩ@1.2A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW SP3485EET TSSOP-8 卷装
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:24A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2.8mΩ@24A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:18A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:4.8mΩ@18A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:6.8mΩ@14.4A,4.5V
UMW IRF7241TR SOP-8 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-40V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-6.2A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:41mΩ@-6.2A,-10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:70mΩ@-5A,-4.5V
UMW AO4800 SOP-8 卷装 Ტიპები:N+N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:6.9A;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:27mΩ@A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@5A,2.5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:32mΩ@6A,4.5V
UMW SS26BF SMBF 卷装 正向压降(Vf):850mV@2A;直流反向耐压(Vr):60V;整流电流:2A
UMW SS16F SMAF 卷装 正向压降(Vf):700mV@1A;直流反向耐压(Vr):60V;整流电流:1A
UMW SMDJ5.0CA SMC 卷装 反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压(VBR):7V;峰值脉冲电流(Ipp):326.1A;最大钳位电压(Vc):9.2V
UMW SMDJ5.0A SMC 卷装 反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压(VBR):7V;峰值脉冲电流(Ipp):326.1A;最大钳位电压(Vc):9.2V
UMW MMBTA56 SOT-23 卷带
UMW SI2317A SOT-23 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-20V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-4A;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@-3.4A,-2.5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:40mΩ@-4.2A,-4.5V
UMW XC6219B152MR SOT23-5 卷装
UMW SM12OC SOT-23 卷装
UMW SM05OC SOT-23 卷装
UMW ESD3B3CM SOD-323 卷装