उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW AOD516 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):46A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:5mΩ@20A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@20A,4.5V
UMW FDS6570A SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):15A;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@12A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.5mΩ@15A,4.5V
UMW FDS6670A SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):13A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8mΩ@13A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@10.5A,4.5V
UMW IRF7821TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):13A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9.1mΩ@13A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.5mΩ@10A,4.5V
UMW FDS6676AS SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):13A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6mΩ@14.5A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.25mΩ@13.2A,4.5V
UMW NTMS4916NR2G SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):11.6A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@12A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12mΩ@10A,4.5V
UMW IRF7456TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):16A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.5mΩ@16A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.5mΩ@13A,4.5V
UMW FDS6680A SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):12A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9.5mΩ@12.5A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:13mΩ@10.5A,4.5V
UMW IRF7809AVTR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):15A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@15A,4.5V
UMW FDS6682 SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):14A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.5mΩ@14A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@12.5A,4.5V
UMW FDD6637 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-14A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11.6mΩ@-14A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:18mΩ@-11A,-4.5V
UMW AOD403 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-20A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8mΩ@-20A,-10V
UMW BSP315P SOT-223 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.17A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:95mΩ@-1.17A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:60mΩ@-0.89A,-4.5V
UMW NTF2955T1G SOT-223 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:55mΩ@-3A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:65mΩ@-2A,-4.5V
UMW IRFL9014TR SOT-223 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-8A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:62mΩ@-8A,-10V
UMW IRLR9343TR TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-3.4A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:97mΩ@-3.4A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:130mΩ@-2.7A,-4.5V
UMW NTD2955T4G TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-12A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:170mΩ@-6A,-10V
UMW FQD17P06TM TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-12A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:135mΩ@-6A,-10V
UMW IRF4905STRL TO-252 卷装
UMW STD35P6LLF6 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-17A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@-17.5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@-17.5A,-4.5V