उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW FDN336P SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.3A;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:108mΩ@-1.1A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:91mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW FDN327N SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):2A;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:120mΩ@1.6A,1.8V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:80mΩ@1.9A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@2A,4.5V
UMW FDN308P SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.5A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:120mΩ@-1.3A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@-1.5A,-4.5V
UMW IRLML6344TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:37mΩ@4A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@5A,4.5V
UMW IRLML2803TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):1.2A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:250mΩ@0.91A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:400mΩ@0.46A,4.5V
UMW IRLML2244TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4.3A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:95mΩ@-3.4A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:54mΩ@-4.3A,-4.5V
UMW IRLML0040TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@3.6A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@2.9A,4.5V
UMW IRLML0030TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5.3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:40mΩ@4.2A,4.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@5.2A,10V
UMW IRFML8244TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):25V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5.8A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:24mΩ@5.8A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:41mΩ@4.6A,4.5V
UMW FDV301N SOT23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@4.7A,1.8V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:42mΩ@4.7A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:28mΩ@5A,4.5V
UMW BSS138PS SOT23 卷装 चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):50V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2Ω@0.3A,10V;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.2Ω@0.2A,4.5V
UMW STN4438 SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):8.2A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:32mΩ@10A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:37mΩ@8A,4.5V
UMW IRLML9303TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-12.3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:165mΩ@-2.3A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:270mΩ@-1.8A,-4.5V
UMW IRLML5103TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-0.76A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:600mΩ@-0.6A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:1000mΩ@-0.3A,-4.5V
UMW IRF7424TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-11A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:13.5mΩ@-11A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:22mΩ@-8.8A,-4.5V
UMW IRF7406TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-6.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:45mΩ@-2.8A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@-2.4A,-4.5V
UMW IRF7403TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):9.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:22mΩ@4A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@3.4A,4.5V
UMW IRF7328TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P+P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-8A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:21mΩ@-8A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:32mΩ@-6.8A,-4.5V
UMW FDN352AP SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.3A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:180mΩ@-1.3A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:300mΩ@-1.1A,-4.5V
UMW 12N10 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):15A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:114mΩ@3A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:120mΩ@3A,4.5V