उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW AOD510 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):70A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.6mΩ@20A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4mΩ@20A,4.5V
UMW FDP8860 TO-220 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):80A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.5mΩ@80A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.8mΩ@80A,5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.9mΩ@80A,4.5V
UMW AOD413A TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-12A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:44mΩ@-12A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:66mΩ@-8A,-4.5V
UMW NDT456P SOT-223 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-7.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:30mΩ@-7.5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:45mΩ@-6A,-4.5V
UMW AOD417 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-25A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:34mΩ@-20A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:55mΩ@-7A,-4.5V
UMW IRF9321TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-15A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.2mΩ@-15A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11.2mΩ@-12A,-4.5V
UMW IPD50P03P4L-11 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10.5mΩ@-50A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:18mΩ@-25A,-4.5V
UMW FDS7779Z SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-16A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.2mΩ@-16A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11.5mΩ@-15A,-4.5V
UMW AO4413 SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-15A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8.5mΩ@-15A,-10V
UMW NDT452AP SOT-223 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:65mΩ@-5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@-4.3A,-4.5V
UMW NTMD3P03R2G SOP-8 卷装 चे प्रकार:P+P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-3.05A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:85mΩ@-3.05A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:125mΩ@-1.5A,-4.5V
UMW AO4803A SOP-8 卷装 चे प्रकार:P+P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:46mΩ@-5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:74mΩ@-4A,-4.5V
UMW IRF7205TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4.6A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@-4.6A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:130mΩ@-2A,-4.5V
UMW IRF7104TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P+P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-2.3A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:250mΩ@-1A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:400mΩ@-0.5A,-4.5V
UMW FDS9435A SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-5.3A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-5.3A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:80mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3481 SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-4A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:85mΩ@-2.5A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:60mΩ@-3.5A,-4.5V
UMW FDS8949 SOP-8 卷装 चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@6A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:36mΩ@4.5A,4.5V
UMW IPD50P04P4L11 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-50A;Vgs(th)(V):±16;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10.6mΩ@-50A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:17.2mΩ@-30A,-4.5V
UMW FDD4685 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-8.4A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@-8.4A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@-7A,-4.5V
UMW IPD088N06N3G TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8.8mΩ@50A,10V