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UMW FDN304P |
SOT-23 |
卷装 |
चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-2.4A;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@-1.8A,-1.8V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:52mΩ@-2.4A,-4.5V |
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UMW 7N65F |
TO-220F |
管装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):7A;Vgs(th)(V):±30;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:1.4mΩ@3.5A,10V |
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UMW 4N65F |
TO-220F |
管装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4A;Vgs(th)(V):±30;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.7mΩ@2A,10V |
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UMW IPB065N10N3G |
TO-263 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):80A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.5mΩ@80A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.4mΩ@50A,6V |
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UMW IRFS4410Z |
TO-263 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):97A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:9mΩ@A,10V |
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UMW FDP8D5N10C |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):76A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8.5mΩ@76A,10V |
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UMW FDP045N10A |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):100A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.5mΩ@100A,10V |
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UMW IPP045N10N3G |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):137A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.5mΩ@100A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.7mΩ@50A,6V |
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UMW IRFB4310Z |
TO-220-3 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):120A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6mΩ@75A,10V |
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UMW IRF100B201 |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):192A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.2mΩ@115A,10V |
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UMW IRFB4110 |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):120A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.5mΩ@75A,10V |
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UMW IRF5305STRL |
TO-263 |
卷装 |
चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-55V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-31A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:60mΩ@-16A,-10V |
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UMW IPP072N10N3G |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):80A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.2mΩ@80A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.7mΩ@40A,6V |
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UMW IPD068N10N3G |
TO-252 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):90A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.8mΩ@90A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12.3mΩ@45A,6V |
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UMW IPD082N10N3G |
TO-252 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):80A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8.2mΩ@73A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:15mΩ@36A,6V |
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UMW IRLL110TR |
SOT-223 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;Vgs(th)(V):±10;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:54mΩ@0.9A,5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:76mΩ@0.75A,4V |
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UMW AO4468 |
SOP-8 |
卷装 |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):10.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:17mΩ@10.5A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:23mΩ@9A,4.5V |
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UMW IRF4905 |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-42A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:20mΩ@-42A,-10V |
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UMW FQP47P06 |
TO-220 |
卷装 |
चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-47A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:26mΩ@-23.5A,-10V |
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UMW AO4421 |
SOP-8 |
卷装 |
चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-6.2A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:40mΩ@-6.2A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-5A,-4.5V |
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