उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW PSD05C-LF-T7 SOD-323 रोल 反向截止电压(Vrwm):5V;极性/通道数(Channel):1-Line,Bidirectional;击穿电压(VBR):6v;峰值脉冲电流(Ipp):1A;最大钳位电压(Vc):9.8V;电容(Cj):175pF
UMW PSR05-LF-T7 SOT-143 रोल 反向截止电压(Vrwm):5V;极性/通道数(Channel):4-Line,Unidirectional;击穿电压(VBR):6V;峰值脉冲电流(Ipp):1A;最大钳位电压(Vc):9.8V;电容(Cj):3pF
UMW SP485EN SOP-8 रोल
UMW MAX485ESA SOP-8 रोल
UMW SP3485EEN SOP-8 रोल
UMW MAX3485ESA SOP-8 रोल
UMW SVT078R0ND TO-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):68V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):88A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.5mΩ@30A,10V
UMW STD20NF06L TO-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):30A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@15A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:40mΩ@10A,4.5V
UMW 40N06 TO-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):55A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:18mΩ@30A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:22mΩ@20A,4.5V
UMW 50N06 T0-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:17mΩ@30A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:21mΩ@20A,4.5V
UMW 100N03A TO-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):90A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.9mΩ@30A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7.9mΩ@20A,4.5V
UMW 30N03A TO-252 रोल चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):90A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:5mΩ@30A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:8mΩ@20A,4.5V
UMW 30N06 TO-252 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):50A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:2.5V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@15A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:34.7W(Tc);चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:40mΩ@10A,4.5V
UMW NDC7002N SOT23-6 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):50V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):0.51A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:2.5V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2Ω@0.51A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:700mW;चे प्रकार:N+N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4Ω@0.35A,4.5V
UMW 1N65G SOT-223 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):1A(Tc);गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11Ω@0.5A,10V;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 15N10 TO-252 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):15A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:2.5V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:110mΩ@10A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:50W(Tc);चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:130mΩ@5A,4.5V
UMW 2N7002 SOT-23 卷装 ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):1.15A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:2.5V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:5Ω@0.1A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:225mW;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:7Ω@0.05A,4.5V
UMW SI2302A SOT-23 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):2.8A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.9V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:mΩ@10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.25W;चे प्रकार:N-Channel;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:60mΩ@3.1A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:45mΩ@3.6A,4.5V
UMW SI2301A SOT-23 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-2.8A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:110mΩ@-2A,-2.5V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:400mW;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:85mΩ@-2.8A,-4.5V
UMW 8205A SOT-23-6 रोल ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.2V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:36mΩ@3A,2.5V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:830mW;चे प्रकार:N+N-Channel;Vgs(th)(V):±10;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:36mΩ@5A,4.5V