उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW BSS123 SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):0.17A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6mΩ@0.17A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10mΩ@0.17A,4.5V
UMW AO4840 SOP-8 卷装 चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:21mΩ@4.5A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:25mΩ@4A,4.5V
UMW AO4441 SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@-4A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:130mΩ@-3A,-4.5V
UMW FDN358P SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:90mΩ@-1.5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:150mΩ@-1.2A,-4.5V
UMW ZXMN6A25GTA SOT-223 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@3.6A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@3A,4.5V
UMW NTD25P03LG TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-26A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:52mΩ@-8A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:43mΩ@-10A,-4.5V
UMW NDT3055L SOT-223 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@4A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:120mΩ@3.7A,4.5V
UMW IRLML6246TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4.1A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:66mΩ@3.3A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:46mΩ@4.1A,4.5V
UMW IRLML6244TR SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6.3A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:31mΩ@5.1A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:24mΩ@6.3A,4.5V
UMW IRF7313TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@5.8A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:46mΩ@4.7A,4.5V
UMW IRF7105TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N+P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):N: 25V ;P:-25V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):N: 3.5A; P:-2.3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:N:100mΩ@1A,10V;P:250mΩ@-1A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:N:160mΩ@0.5A,4.5V;P:400@-0.5A,-4.5V
UMW FDN339AN SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):3A;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:mΩ@10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@2.4A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:38mΩ@3A,4.5V
UMW FDD6685 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-40A;Vgs(th)(V):±25;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:34mΩ@-9A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:26mΩ@-11A,-4.5V
UMW SM4027PSU TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:17mΩ@-17A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@-14A,-4.5V
UMW SI4401BDY SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-16.1A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:18mΩ@-10.2A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@-8.4A,-4.5V
UMW P5504EDG TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:17mΩ@-17A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:29mΩ@-14A,-4.5V
UMW IRF7303TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N+N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5.3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@2.4A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:80mΩ@2A,4.5V
UMW IRF7240TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-10.5A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:16mΩ@-10.5A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@-8.4A,-4.5V
UMW FDN302P SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):–2.4 A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:80mΩ@-2A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:55mΩ@-2.4A,-4.5V
UMW FDD4243 TO-252 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-14A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:44mΩ@-6.7A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:64mΩ@-5.5A,-4.5V