catégorie de produit

Image Numéro de produit Encapsulation Emballage La description Fiche technique
UMW AOSP21321 SOP-8 卷装
UMW SI2303 SOT-23 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-1.7A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:190mΩ@-1.7A,-10V;Résistance au drain-source:330mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW 5N50L TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):500V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):5A;Vgs(th)(V):±30;Résistance au drain-source:1.6mΩ@2.5A,10V
UMW 4N50L TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):500V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):5A;Vgs(th)(V):±30;Résistance au drain-source:2.4mΩ@2A,10V
UMW IRFR540ZTR TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):100V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):30A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:28mΩ@15A,10V
UMW IRL540N TO-220 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):100V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):30A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:28mΩ@15A,10V
UMW IRF7201TR SOP-8 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):7.3A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:30mΩ@7.3A,10V;Résistance au drain-source:50mΩ@3.7A,4.5V
UMW AO4443 SOP-8 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-40V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-8A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:46mΩ@-20A,-10V;Résistance au drain-source:42mΩ@-10A,-4.5V
UMW FDD24AN06LA0 TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):40A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:19mΩ@10V
UMW FDD5680 TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):38A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14 TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):50A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):17A;Vgs(th)(V):±16;Résistance au drain-source:28mΩ@10V
UMW FDD5810 TO-252 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):60V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):37A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:22mΩ@10V
UMW 30P03D PDFN3*3 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-60A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:11mΩ@-30A,-10V;Résistance au drain-source:20mΩ@-15A,-4.5V
UMW NTR4171RT SOT-23 卷装 Types de:P-Channel;Tension drain-source (Vdss):-30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):-2.2A;Vgs(th)(V):±12;Résistance au drain-source:75mΩ@-10V
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):100V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):3.7A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:120mΩ@3.7A,10V;Résistance au drain-source:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):55V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):2.0A;Vgs(th)(V):±16;Résistance au drain-source:140mΩ@2A,10V;Résistance au drain-source:200mΩ@1.2A,5V;Résistance au drain-source:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):2.1A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:100mΩ@1.2A,10V;Résistance au drain-source:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):24A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:2.8mΩ@24A,10V;Résistance au drain-source:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 Types de:N-Channel;Tension drain-source (Vdss):30V;Courant de drain continu (Id) (à 25 ° C):18A;Vgs(th)(V):±20;Résistance au drain-source:4.8mΩ@18A,10V;Résistance au drain-source:6.8mΩ@14.4A,4.5V