उत्पाद श्रेणी

छवि उत्पाद संख्या Encapsulation प्याकेजि। वर्णन डाटा पाना
UMW AOSP21321 SOP-8 卷装
UMW SI2303 SOT-23 卷装 प्रकारहरु:P-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-1.7A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:190mΩ@-1.7A,-10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:330mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW 5N50L TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):500V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):5A;Vgs(th)(V):±30;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:1.6mΩ@2.5A,10V
UMW 4N50L TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):500V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):5A;Vgs(th)(V):±30;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:2.4mΩ@2A,10V
UMW IRFR540ZTR TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):30A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:28mΩ@15A,10V
UMW IRL540N TO-220 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):30A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:28mΩ@15A,10V
UMW IRF7201TR SOP-8 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7.3A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:30mΩ@7.3A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@3.7A,4.5V
UMW AO4443 SOP-8 卷装 प्रकारहरु:P-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-40V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-8A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:46mΩ@-20A,-10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:42mΩ@-10A,-4.5V
UMW FDD24AN06LA0 TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):40A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:19mΩ@10V
UMW FDD5680 TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):38A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14 TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):50A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):17A;Vgs(th)(V):±16;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:28mΩ@10V
UMW FDD5810 TO-252 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):37A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:22mΩ@10V
UMW 30P03D PDFN3*3 卷装 प्रकारहरु:P-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-60A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:11mΩ@-30A,-10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:20mΩ@-15A,-4.5V
UMW NTR4171RT SOT-23 卷装 प्रकारहरु:P-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-2.2A;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:75mΩ@-10V
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):100V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):3.7A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:120mΩ@3.7A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):55V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):2.0A;Vgs(th)(V):±16;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:140mΩ@2A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:200mΩ@1.2A,5V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):2.1A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:100mΩ@1.2A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):24A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:2.8mΩ@24A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):18A;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:4.8mΩ@18A,10V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:6.8mΩ@14.4A,4.5V