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영상 제품 번호 캡슐화 포장 기술 데이터 시트
UMW AOSP21321 SOP-8 卷装
UMW SI2303 SOT-23 卷装 유형:P-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):-30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):-1.7A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:190mΩ@-1.7A,-10V;드레인 소스 온 저항:330mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW 5N50L TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):500V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):5A;Vgs(th)(V):±30;드레인 소스 온 저항:1.6mΩ@2.5A,10V
UMW 4N50L TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):500V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):5A;Vgs(th)(V):±30;드레인 소스 온 저항:2.4mΩ@2A,10V
UMW IRFR540ZTR TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):100V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):30A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:28mΩ@15A,10V
UMW IRL540N TO-220 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):100V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):30A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:28mΩ@15A,10V
UMW IRF7201TR SOP-8 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):7.3A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:30mΩ@7.3A,10V;드레인 소스 온 저항:50mΩ@3.7A,4.5V
UMW AO4443 SOP-8 卷装 유형:P-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):-40V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):-8A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:46mΩ@-20A,-10V;드레인 소스 온 저항:42mΩ@-10A,-4.5V
UMW FDD24AN06LA0 TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):60V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):40A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:19mΩ@10V
UMW FDD5680 TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):60V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):38A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14 TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):60V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):50A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):60V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):17A;Vgs(th)(V):±16;드레인 소스 온 저항:28mΩ@10V
UMW FDD5810 TO-252 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):60V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):37A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:22mΩ@10V
UMW 30P03D PDFN3*3 卷装 유형:P-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):-30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):-60A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:11mΩ@-30A,-10V;드레인 소스 온 저항:20mΩ@-15A,-4.5V
UMW NTR4171RT SOT-23 卷装 유형:P-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):-30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):-2.2A;Vgs(th)(V):±12;드레인 소스 온 저항:75mΩ@-10V
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):100V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):3.7A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:120mΩ@3.7A,10V;드레인 소스 온 저항:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):55V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):2.0A;Vgs(th)(V):±16;드레인 소스 온 저항:140mΩ@2A,10V;드레인 소스 온 저항:200mΩ@1.2A,5V;드레인 소스 온 저항:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):2.1A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:100mΩ@1.2A,10V;드레인 소스 온 저항:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):24A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:2.8mΩ@24A,10V;드레인 소스 온 저항:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 유형:N-Channel;드레인 소스 전압 (Vdss):30V;연속 드레인 전류 (Id) (25 ° C에서):18A;Vgs(th)(V):±20;드레인 소스 온 저항:4.8mΩ@18A,10V;드레인 소스 온 저항:6.8mΩ@14.4A,4.5V