პროდუქტის კატეგორია

სურათი პროდუქტის ნომერი კაფსულაცია შეფუთვა აღწერა Მონაცემთა ფურცელი
UMW AOSP21321 SOP-8 卷装
UMW SI2303 SOT-23 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-1.7A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:190mΩ@-1.7A,-10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:330mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW 5N50L TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):500V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:5A;Vgs(th)(V):±30;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:1.6mΩ@2.5A,10V
UMW 4N50L TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):500V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:5A;Vgs(th)(V):±30;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2.4mΩ@2A,10V
UMW IRFR540ZTR TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):100V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:30A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:28mΩ@15A,10V
UMW IRL540N TO-220 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):100V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:30A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:28mΩ@15A,10V
UMW IRF7201TR SOP-8 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:7.3A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:30mΩ@7.3A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@3.7A,4.5V
UMW AO4443 SOP-8 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-40V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-8A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:46mΩ@-20A,-10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:42mΩ@-10A,-4.5V
UMW FDD24AN06LA0 TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:40A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:19mΩ@10V
UMW FDD5680 TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:38A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14 TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:50A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:17A;Vgs(th)(V):±16;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:28mΩ@10V
UMW FDD5810 TO-252 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:37A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:22mΩ@10V
UMW 30P03D PDFN3*3 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-60A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:11mΩ@-30A,-10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:20mΩ@-15A,-4.5V
UMW NTR4171RT SOT-23 卷装 Ტიპები:P-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-2.2A;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:75mΩ@-10V
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):100V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:3.7A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:120mΩ@3.7A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):55V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:2.0A;Vgs(th)(V):±16;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:140mΩ@2A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:200mΩ@1.2A,5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:2.1A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:100mΩ@1.2A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:24A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2.8mΩ@24A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:18A;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:4.8mΩ@18A,10V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:6.8mΩ@14.4A,4.5V