उत्पादन वर्ग

प्रतिमा उत्पादन क्रमांक एन्केप्सुलेशन पॅकेजिंग वर्णन माहिती पत्रक
UMW AOSP21321 SOP-8 卷装
UMW SI2303 SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-1.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:190mΩ@-1.7A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:330mΩ@-1.3A,-4.5V
UMW 5N50L TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):500V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5A;Vgs(th)(V):±30;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:1.6mΩ@2.5A,10V
UMW 4N50L TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):500V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5A;Vgs(th)(V):±30;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.4mΩ@2A,10V
UMW IRFR540ZTR TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):30A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:28mΩ@15A,10V
UMW IRL540N TO-220 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):30A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:28mΩ@15A,10V
UMW IRF7201TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):7.3A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:30mΩ@7.3A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@3.7A,4.5V
UMW AO4443 SOP-8 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-40V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-8A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:46mΩ@-20A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:42mΩ@-10A,-4.5V
UMW FDD24AN06LA0 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):40A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:19mΩ@10V
UMW FDD5680 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):38A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:21mΩ@10V
UMW IPD50N06S2-14 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):50A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:14.4mΩ@10V
UMW NVD5C688NLT4G TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):17A;Vgs(th)(V):±16;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:28mΩ@10V
UMW FDD5810 TO-252 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):37A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:22mΩ@10V
UMW 30P03D PDFN3*3 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-60A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11mΩ@-30A,-10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:20mΩ@-15A,-4.5V
UMW NTR4171RT SOT-23 卷装 चे प्रकार:P-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-2.2A;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:75mΩ@-10V
UMW FDT3612 SOT-223 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):100V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):3.7A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:120mΩ@3.7A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:130mΩ@3.5A,6V
UMW IRLL014NTR SOT-223 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):55V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):2.0A;Vgs(th)(V):±16;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:140mΩ@2A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:200mΩ@1.2A,5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:280mΩ@1A,4V
UMW MGSF1N03L SOT-23 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):2.1A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:100mΩ@1.2A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:145mΩ@1.0A,4.5V
UMW IRF8788TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):24A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.8mΩ@24A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:3.8mΩ@19A,4.5V
UMW IRF8736TR SOP-8 卷装 चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):18A;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:4.8mΩ@18A,10V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:6.8mΩ@14.4A,4.5V