Produktuen Kategoria

Irudia Produktuaren zenbakia Kapsulatzea Ontziak Deskribapena Fitxa teknikoa
UMW SI2308A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):60V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):3A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:3V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:80mΩ@3A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):1.25W;Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:95mΩ@1.9A,4.5V
UMW SI2307A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-3A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:3V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:50mΩ@-3A,-10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):1.25W;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:70mΩ@-2.5A,-4.5V
UMW SI2306A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):4A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:3V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:35mΩ@4A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):1.25W;Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:50mΩ@3.5A,4.5V
UMW SI2305A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-20V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-4A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:500mV @ 250uA(最小);Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:50mΩ@-3.4A,-2.5V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):1.38W;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:40mΩ@-4.2A,-4.5V
UMW BSS84 SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-50V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-0.13A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:2V @ 1mA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:10Ω@-0.1A,-5V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):300mW;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±20
UMW BSS138 SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):50V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):300mA;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1.5V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:2.5Ω @ 500mA,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):300mW;Motak:N沟道
UMW SI2300A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):20V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):6A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1V @ 50uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:mΩ@10V;Motak:N-Channel;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:34mΩ@5.2A,2.5V;Vgs(th)(V):±12;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:25mΩ@6A,4.5V
UMW AO3415A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-20V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-4A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:60mΩ@-4A,-2.5V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):350mW;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:36mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3407A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-4.2A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:3V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:52mΩ@-4.1A,-10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):1.4W;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:70mΩ@-3A,-4.5V
UMW AO3402A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):4A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1.4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:52mΩ@4A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):350mW;Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:85mΩ@2A,2.5V;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:65mΩ@3A,4.5V
UMW AO3401A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):-30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):-4.2A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1.3V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:50mΩ@-4.2A,-10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):350mW;Motak:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:12mΩ@-1A,-2.5V;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:65mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3400A SOT-23 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):30V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):5.8A;Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:1.4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:27mΩ@5.8A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):350mW;Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:48mΩ@4A,2.5V;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:31mΩ@5A,4.5V
UMW 1N60G SOT-223 Jaurti Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):600V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):1A(Tc);Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:11Ω@0.5A,10V;Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 10N65F TO-220F Hodia Motak:N-Channel;Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):650V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):7A;Vgs(th)(V):±30;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:1.9Ω@5A,10V
UMW 7N65 TO-220F Hodia Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):650V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):7A(Tc);Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:1.4mΩ @ 3.5A,10V;Motak:N沟道
UMW 5N65F TO-220F Hodia Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):650V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):5A(Tc);Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:2mΩ@2.5A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):50W(Tc);Motak:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 4N65 TO-220F Hodia Drainatze-iturri tentsioa (Vdss):650V;Ihesa etengabeko korrontea (Id) (25 ° C-tan):4A(Tc);Ate-iturriaren atalaseko tentsioa:4V @ 250uA;Xukapen-iturriaren aurkako erresistentzia:2.8Ω @ 2A,10V;Potentzia gehieneko xahutzea (Ta = 25 ° C):33W(Tc);Motak:N沟道