उत्पाद श्रेणी

छवि उत्पाद संख्या Encapsulation प्याकेजि। वर्णन डाटा पाना
UMW SI2308A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):60V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):3A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:3V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:80mΩ@3A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):1.25W;प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:95mΩ@1.9A,4.5V
UMW SI2307A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-3A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:3V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@-3A,-10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):1.25W;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:70mΩ@-2.5A,-4.5V
UMW SI2306A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):4A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:3V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:35mΩ@4A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):1.25W;प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@3.5A,4.5V
UMW SI2305A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-20V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-4A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:500mV @ 250uA(最小);ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@-3.4A,-2.5V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):1.38W;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:40mΩ@-4.2A,-4.5V
UMW BSS84 SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-50V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-0.13A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:2V @ 1mA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:10Ω@-0.1A,-5V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):300mW;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±20
UMW BSS138 SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):50V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):300mA;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1.5V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:2.5Ω @ 500mA,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):300mW;प्रकारहरु:N沟道
UMW SI2300A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):20V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):6A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1V @ 50uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:mΩ@10V;प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:34mΩ@5.2A,2.5V;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:25mΩ@6A,4.5V
UMW AO3415A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-20V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-4A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:60mΩ@-4A,-2.5V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):350mW;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:36mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3407A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-4.2A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:3V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:52mΩ@-4.1A,-10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):1.4W;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:70mΩ@-3A,-4.5V
UMW AO3402A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):4A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1.4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:52mΩ@4A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):350mW;प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:85mΩ@2A,2.5V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:65mΩ@3A,4.5V
UMW AO3401A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):-30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):-4.2A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1.3V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:50mΩ@-4.2A,-10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):350mW;प्रकारहरु:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:12mΩ@-1A,-2.5V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:65mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3400A SOT-23 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):30V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):5.8A;गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:1.4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:27mΩ@5.8A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):350mW;प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:48mΩ@4A,2.5V;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:31mΩ@5A,4.5V
UMW 1N60G SOT-223 रोल ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):600V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):1A(Tc);गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:11Ω@0.5A,10V;प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 10N65F TO-220F ट्यूब प्रकारहरु:N-Channel;ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):650V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7A;Vgs(th)(V):±30;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:1.9Ω@5A,10V
UMW 7N65 TO-220F ट्यूब ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):650V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):7A(Tc);गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:1.4mΩ @ 3.5A,10V;प्रकारहरु:N沟道
UMW 5N65F TO-220F ट्यूब ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):650V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):5A(Tc);गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:2mΩ@2.5A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):50W(Tc);प्रकारहरु:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 4N65 TO-220F ट्यूब ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (Vdss):650V;अविरल नाली वर्तमान (आईडी) (२° डिग्री सेल्सियस मा):4A(Tc);गेट स्रोत स्रोत भोल्टेज:4V @ 250uA;ड्रेन-स्रोत अन-प्रतिरोध:2.8Ω @ 2A,10V;अधिकतम पावर लिपि (टा = २° डिग्री सेल्सियस):33W(Tc);प्रकारहरु:N沟道