პროდუქტის კატეგორია

სურათი პროდუქტის ნომერი კაფსულაცია შეფუთვა აღწერა Მონაცემთა ფურცელი
UMW SI2308A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):60V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:3A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:3V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:80mΩ@3A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):1.25W;Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:95mΩ@1.9A,4.5V
UMW SI2307A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-3A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:3V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@-3A,-10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):1.25W;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:70mΩ@-2.5A,-4.5V
UMW SI2306A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:4A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:3V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:35mΩ@4A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):1.25W;Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@3.5A,4.5V
UMW SI2305A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-20V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-4A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:500mV @ 250uA(最小);გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@-3.4A,-2.5V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):1.38W;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:40mΩ@-4.2A,-4.5V
UMW BSS84 SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-50V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-0.13A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:2V @ 1mA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:10Ω@-0.1A,-5V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):300mW;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±20
UMW BSS138 SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):50V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:300mA;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1.5V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2.5Ω @ 500mA,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):300mW;Ტიპები:N沟道
UMW SI2300A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):20V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:6A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1V @ 50uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:mΩ@10V;Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:34mΩ@5.2A,2.5V;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:25mΩ@6A,4.5V
UMW AO3415A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-20V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-4A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:60mΩ@-4A,-2.5V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):350mW;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:36mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3407A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-4.2A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:3V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:52mΩ@-4.1A,-10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):1.4W;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:70mΩ@-3A,-4.5V
UMW AO3402A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:4A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1.4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:52mΩ@4A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):350mW;Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:85mΩ@2A,2.5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:65mΩ@3A,4.5V
UMW AO3401A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):-30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:-4.2A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1.3V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:50mΩ@-4.2A,-10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):350mW;Ტიპები:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:12mΩ@-1A,-2.5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:65mΩ@-4A,-4.5V
UMW AO3400A SOT-23 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):30V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:5.8A;კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:1.4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:27mΩ@5.8A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):350mW;Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:48mΩ@4A,2.5V;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:31mΩ@5A,4.5V
UMW 1N60G SOT-223 როლი გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):600V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:1A(Tc);კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:11Ω@0.5A,10V;Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 10N65F TO-220F მილის Ტიპები:N-Channel;გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):650V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:7A;Vgs(th)(V):±30;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:1.9Ω@5A,10V
UMW 7N65 TO-220F მილის გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):650V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:7A(Tc);კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:1.4mΩ @ 3.5A,10V;Ტიპები:N沟道
UMW 5N65F TO-220F მილის გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):650V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:5A(Tc);კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2mΩ@2.5A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):50W(Tc);Ტიპები:N-Channel;Vgs(th)(V):±30
UMW 4N65 TO-220F მილის გადინების წყაროს ძაბვა (Vdss):650V;უწყვეტი გადინების მიმდინარეობა (Id) (25 ° C ტემპერ:4A(Tc);კარიბჭის წყაროს ბარიერის ძაბვა:4V @ 250uA;გადინების წყაროზე რეზისტენტობა:2.8Ω @ 2A,10V;ენერგიის მაქსიმალური გაფრქვევა (Ta = 25 ° C):33W(Tc);Ტიპები:N沟道