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UMW SI2308A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):60V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):3A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:3V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:80mΩ@3A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.25W;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:95mΩ@1.9A,4.5V |
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UMW SI2307A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-3A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:3V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-3A,-10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.25W;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@-2.5A,-4.5V |
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UMW SI2306A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:3V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:35mΩ@4A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.25W;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@3.5A,4.5V |
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UMW SI2305A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:500mV @ 250uA(最小);निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-3.4A,-2.5V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.38W;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:40mΩ@-4.2A,-4.5V |
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UMW BSS84 |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-50V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-0.13A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:2V @ 1mA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:10Ω@-0.1A,-5V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:300mW;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±20 |
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UMW BSS138 |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):50V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):300mA;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.5V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.5Ω @ 500mA,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:300mW;चे प्रकार:N沟道 |
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UMW SI2300A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):6A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1V @ 50uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:mΩ@10V;चे प्रकार:N-Channel;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:34mΩ@5.2A,2.5V;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:25mΩ@6A,4.5V |
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UMW AO3415A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-20V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:60mΩ@-4A,-2.5V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:350mW;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±8;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:36mΩ@-4A,-4.5V |
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UMW AO3407A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4.2A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:3V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:52mΩ@-4.1A,-10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:1.4W;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±20;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:70mΩ@-3A,-4.5V |
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UMW AO3402A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:52mΩ@4A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:350mW;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:85mΩ@2A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:65mΩ@3A,4.5V |
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UMW AO3401A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):-30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):-4.2A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.3V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:50mΩ@-4.2A,-10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:350mW;चे प्रकार:P-Channel;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:12mΩ@-1A,-2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:65mΩ@-4A,-4.5V |
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UMW AO3400A |
SOT-23 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):30V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5.8A;गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:1.4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:27mΩ@5.8A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:350mW;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:48mΩ@4A,2.5V;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:31mΩ@5A,4.5V |
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UMW 1N60G |
SOT-223 |
रोल |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):600V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):1A(Tc);गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:11Ω@0.5A,10V;चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±30 |
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UMW 10N65F |
TO-220F |
ट्यूब |
चे प्रकार:N-Channel;ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):7A;Vgs(th)(V):±30;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:1.9Ω@5A,10V |
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UMW 7N65 |
TO-220F |
ट्यूब |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):7A(Tc);गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:1.4mΩ @ 3.5A,10V;चे प्रकार:N沟道 |
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UMW 5N65F |
TO-220F |
ट्यूब |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):5A(Tc);गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2mΩ@2.5A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:50W(Tc);चे प्रकार:N-Channel;Vgs(th)(V):±30 |
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UMW 4N65 |
TO-220F |
ट्यूब |
ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज (व्हीडीएस):650V;सतत ड्रेन करंट (आयडी) (25 डिग्री सेल्सियस पर्यंत):4A(Tc);गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड व्होल्टेज:4V @ 250uA;निचरा-स्त्रोत-प्रतिरोध:2.8Ω @ 2A,10V;जास्तीत जास्त उर्जा नष्ट होणे (ता = 25 डिग्री सेल्:33W(Tc);चे प्रकार:N沟道 |
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